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Si9933CDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
0.0 8
0.06
0.04
I D = - 4. 8 A
T J = 125 °C
T J = 150 °C
T J = 25 °C
T J = 25 °C
1
0.02
0.1
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
12
1.3
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
1.2
40
1.1
1.0
0.9
I D = 250 μ A
30
20
0. 8
10
0.7
0.6
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
10
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
Limited b y R DS(on) *
1 ms
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
1
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 68791
S-81729-Rev. A, 04-Aug-08
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